买卖IC网 >> 产品目录 >> SIS448DN-T1-GE3 MOSFET 30V 35A N-CH MOSFET datasheet RF/IF 和 RFID
型号:

SIS448DN-T1-GE3

库存数量:可订货
制造商:Vishay/Siliconix
描述:MOSFET 30V 35A N-CH MOSFET
RoHS:
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 30V 35A N-CH MOSFET
SIS448DN-T1-GE3 PDF下载
制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 30 V
闸/源击穿电压
漏极连续电流 35 A
电阻汲极/源极 RDS(导通) 0.0046 Ohms
配置 Single
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 PowerPAK 1212-8
封装 Reel
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  • SIS448DN-T1-GE3 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1,890 0.746 1409.94
    3,000 0.662 1986
    6,000 0.634 3804
    12,000 0.608 7296